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纳米银膏

纳米银膏兼容锡膏的点胶、印刷工艺和设备,工艺温度低,连接强度高,烧结后为100%Ag,理论熔点达到961℃,可替代现有的高铅焊料应用,且导热性能优异,适用于IGBT、LED、射频等功率元器件的无压封接,尤其契合第三代半导体封装应用。

特点:

l 独有的纳米银分散体系,符合RoHS要求

l无压烧结/加压烧结

l 低温烧结(200℃),高温服役

l 高连接强度,高导电、导热性能

l 可替代高铅焊料

l无有机残留,无需清洗



规格参数:

  

典型应用场景:

大功率半导体器件封装